SPD08P06P G
IC
TO-252
可供量大可议
SPD08P06P G
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 工作温度175℃。 无铅引脚表面处理， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
SPD08P06P G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SPD08P06P G概述
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 工作温度175℃。 无铅引脚表面处理， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
SPD08P06P G特性
暂无产品特性。
SPD08P06P G应用领域
暂无应用领域。