SPD07N60C3BTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SPD07N60C3BTMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有优异的高温稳定性和高频开关能力， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
SPD07N60C3BTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SPD07N60C3BTMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有优异的高温稳定性和高频开关能力， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。
SPD07N60C3BTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
SPD07N60C3BTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。