SPD07N20G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SPD07N20G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
28
货期
现货
SPD07N20G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
SPD07N20G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
SPD07N20G-VB特性
暂无产品特性。
SPD07N20G-VB应用领域
暂无应用领域。