SPD06N80C3-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SPD06N80C3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于高电压、高电流控制的应用。 在各种需要高电压、高电流控制的应用中具有广泛的应用潜力。 TO252； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
22
货期
现货
SPD06N80C3-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22 |
SPD06N80C3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于高电压、高电流控制的应用。 在各种需要高电压、高电流控制的应用中具有广泛的应用潜力。 TO252； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SPD06N80C3-VB特性
暂无产品特性。
SPD06N80C3-VB应用领域
暂无应用领域。