SPD04N60C3BTMA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流， 漏源电压额定值为900V， 导通电阻为712mΩ。 栅源电压工作范围为-8V至+20V， 适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。 凭借碳化硅材料的特性， 器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗， 适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。