SPD02N80C3
IC
PG-TO252-3
可供量大可议
SPD02N80C3
场效应管(MOSFET) SPD02N80C3 TO-252-2(DPAK)
品牌
Infineon
封装
PG-TO252-3
库存
14,200
货期
现货
SPD02N80C3参数
| 封装 | PG-TO252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 输入电容(Ciss) | 290pF |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,200 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SPD02N80C3概述
场效应管(MOSFET) SPD02N80C3 TO-252-2(DPAK)
SPD02N80C3特性
暂无产品特性。
SPD02N80C3应用领域
暂无应用领域。