SPB80P06PG
IC
TO-263-3
可供量大可议
SPB80P06PG
P沟道增强模式SIPMOS功率晶体管， 雪崩额定， dv/dt额定， 无铅镀铅， 符合RoHS和无卤标准
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
510
货期
现货
SPB80P06PG参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 510 |
SPB80P06PG概述
P沟道增强模式SIPMOS功率晶体管， 雪崩额定， dv/dt额定， 无铅镀铅， 符合RoHS和无卤标准
SPB80P06PG特性
暂无产品特性。
SPB80P06PG应用领域
暂无应用领域。