SPB20N60C3-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
SPB20N60C3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的性能和可靠性， 广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用， 包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
19
货期
现货
SPB20N60C3-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SPB20N60C3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的性能和可靠性， 广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用， 包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SPB20N60C3-VB特性
暂无产品特性。
SPB20N60C3-VB应用领域
暂无应用领域。