SPA15N65C3XKSA1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
SPA15N65C3XKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为9A， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料的特性， 该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
1
货期
现货
SPA15N65C3XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SPA15N65C3XKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为9A， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料的特性， 该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。
SPA15N65C3XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
SPA15N65C3XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。