SPA11N60C3
IC
TO-220FP
可供量大可议
SPA11N60C3
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 PG-TO-220-3-31; -3-111：完全隔离封装（2500 VAC； 1分钟）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准， 适用于目标应用
品牌
Infineon
封装
TO-220FP
库存
92
货期
现货
SPA11N60C3参数
| 封装 | TO-220FP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 92 |
SPA11N60C3概述
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 PG-TO-220-3-31; -3-111：完全隔离封装（2500 VAC； 1分钟）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准， 适用于目标应用
SPA11N60C3特性
暂无产品特性。
SPA11N60C3应用领域
暂无应用领域。