SPA08N80C3XKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
SPA08N80C3XKSA1
特性：全新革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 超低栅极电荷。 应用：高直流母线电压的工业应用
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
50
货期
现货
SPA08N80C3XKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:800V 电流:8A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SPA08N80C3XKSA1 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0031 |
SPA08N80C3XKSA1概述
特性：全新革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 超低栅极电荷。 应用：高直流母线电压的工业应用
SPA08N80C3XKSA1特性
- 全新革命性高压技术
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
- 超低有效电容
- 全隔离封装(2500 VAC
- 1 分钟)
SPA08N80C3XKSA1应用领域
- 高直流母线电压的工业应用-开关应用(如有源钳位正激电路)