SP8M51-TB-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SP8M51-TB-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景， 为电路设计提供了灵活的解决方案。 SOP8； N+P—Channel沟道； ±100V； 2.2/-1.9A； RDS(ON)=240/490mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5/-1~3/-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
44
货期
现货
SP8M51-TB-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
SP8M51-TB-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景， 为电路设计提供了灵活的解决方案。 SOP8； N+P—Channel沟道； ±100V； 2.2/-1.9A； RDS(ON)=240/490mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5/-1~3/-2.5V
SP8M51-TB-VB特性
暂无产品特性。
SP8M51-TB-VB应用领域
暂无应用领域。