SP1026-01UTG
IC
UDFN
可供量大可议
SP1026-01UTG
背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。 这些二极管为电子设备提供高静电放电（ESD）保护水平。 TVS 可安全吸收 ±30kV（接触放电， IEC 61000-4-2）的重复静电放电冲击， 而不会降低性能。 此外， 每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。
品牌
Littelfuse
封装
UDFN
库存
610
货期
现货
SP1026-01UTG参数
| 封装 | UDFN |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse(美国力特) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 610 |
SP1026-01UTG概述
背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。 这些二极管为电子设备提供高静电放电（ESD）保护水平。 TVS 可安全吸收 ±30kV（接触放电， IEC 61000-4-2）的重复静电放电冲击， 而不会降低性能。 此外， 每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。
SP1026-01UTG特性
暂无产品特性。
SP1026-01UTG应用领域
暂无应用领域。