SP1011-04UTG
IC
UDFN-6(1x1.3)
可供量大可议
SP1011-04UTG
采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个I/O引脚， 为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。 这些耐用的二极管能够安全地吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级， ±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击， 且性能不会下降。 其极低的负载电容也使其成为高速信号引脚保护的理想选择。
品牌
Littelfuse
封装
UDFN-6(1x1.3)
库存
3
货期
现货
SP1011-04UTG参数
| 封装 | UDFN-6(1x1.3) |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse(美国力特) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SP1011-04UTG概述
采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个I/O引脚， 为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。 这些耐用的二极管能够安全地吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级， ±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击， 且性能不会下降。 其极低的负载电容也使其成为高速信号引脚保护的理想选择。
SP1011-04UTG特性
暂无产品特性。
SP1011-04UTG应用领域
暂无应用领域。