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SNR252012-3R3MT
IC

1008

可供量大可议

SNR252012-3R3MT

电感值:3.3uH, 精度:±20%, 直流电阻(DCR):264mΩ, 饱和电流(Isat):1.61A, 温升电流(Irms):1.04A, SMD, 2.5x2.0x1.2mm, 绕组铁氧体软磁屏蔽功率电感

品牌

LanTu Micro

封装

1008

库存

4,000

货期

现货

SNR252012-3R3MT参数

封装1008
品牌LanTu Micro(蓝图微电)
MOQ / SPQ1 / 10
分类功率电感
库存4000

SNR252012-3R3MT概述

电感值:3.3uH, 精度:±20%, 直流电阻(DCR):264mΩ, 饱和电流(Isat):1.61A, 温升电流(Irms):1.04A, SMD, 2.5x2.0x1.2mm, 绕组铁氧体软磁屏蔽功率电感

SNR252012-3R3MT特性

暂无产品特性。

SNR252012-3R3MT应用领域

暂无应用领域。

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