SNCE3080K
IC
TO-252
可供量大可议
SNCE3080K
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：60W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.4mΩ@20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
SNCE3080K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SNCE3080K概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：60W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.4mΩ@20A, 10V
SNCE3080K特性
暂无产品特性。
SNCE3080K应用领域
暂无应用领域。