SMMUN2111LT1G
自营可供
IC
SOT-23-3（TO-236）
SMMUN2111LT1G
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23-3
品牌
ON
封装
SOT-23-3（TO-236）
交期
现货
批次
26+
SMMUN2111LT1G参数
| 封装 | SOT-23-3（TO-236） |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV |
| 电阻比率 | 1 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 商品名称 | 数字晶体管（BRT）， 带单片偏置电阻网络的PNP晶体管 |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6.1e-05 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 60,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 246mW |
| 直流电流增益(hFE) | 35 |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.2V |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 商品型号 | SMMUN2111LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
SMMUN2111LT1G概述
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23-3
SMMUN2111LT1G特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 且符合RoHS标准