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SMMSD301T1G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

SMMSD301T1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 反向耐压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在关断状态下, 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

40

货期

现货

SMMSD301T1G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存40

SMMSD301T1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 反向耐压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在关断状态下, 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。

SMMSD301T1G-HXY特性

暂无产品特性。

SMMSD301T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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