SMMSD301T1G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
SMMSD301T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 反向耐压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在关断状态下, 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
40
货期
现货
SMMSD301T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SMMSD301T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 反向耐压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在关断状态下, 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。
SMMSD301T1G-HXY特性
暂无产品特性。
SMMSD301T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
