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SMMBTA56LT1G
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IC

SOT-23

SMMBTA56LT1G

三极管(BJT) 225mW 80V 500mA PNP

品牌

ON

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

SMMBTA56LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)80V
直流电流增益(hFE)100
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存29,415
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)500mA
耗散功率(Pd)300mW
特征频率(fT)50MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
射基极击穿电压(Vebo)4V

SMMBTA56LT1G概述

三极管(BJT) 225mW 80V 500mA PNP

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