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SMMBTA06WT1G-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

SMMBTA06WT1G-HXY

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达160V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其集电极电流IC为0.6A, 适用于需要中等电流驱动的电路。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 表明具有良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中表现出色。 整体而言, 这款三极管非常适合于需要高电压、中等电流以及良好增益和频率响应特性的电子设备中使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

130

货期

现货

SMMBTA06WT1G-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存130

SMMBTA06WT1G-HXY概述

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达160V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其集电极电流IC为0.6A, 适用于需要中等电流驱动的电路。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 表明具有良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中表现出色。 整体而言, 这款三极管非常适合于需要高电压、中等电流以及良好增益和频率响应特性的电子设备中使用。

SMMBTA06WT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SMMBTA06WT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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