SMMBTA06WT1G-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
SMMBTA06WT1G-HXY
此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达160V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其集电极电流IC为0.6A, 适用于需要中等电流驱动的电路。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 表明具有良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中表现出色。 整体而言, 这款三极管非常适合于需要高电压、中等电流以及良好增益和频率响应特性的电子设备中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
130
货期
现货
SMMBTA06WT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
SMMBTA06WT1G-HXY概述
此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达160V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其集电极电流IC为0.6A, 适用于需要中等电流驱动的电路。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 表明具有良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中表现出色。 整体而言, 这款三极管非常适合于需要高电压、中等电流以及良好增益和频率响应特性的电子设备中使用。
SMMBTA06WT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SMMBTA06WT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
