SMMBT4401LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SMMBT4401LT1G-HXY
此款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的设计。 其直流电流增益(HFE)在200至450之间, 表明了它在放大信号方面的高效性。 此外, 这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色。 该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。 其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
4,190
货期
现货
SMMBT4401LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 4190 |
SMMBT4401LT1G-HXY概述
此款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的设计。 其直流电流增益(HFE)在200至450之间, 表明了它在放大信号方面的高效性。 此外, 这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色。 该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。 其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。
SMMBT4401LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SMMBT4401LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
