SMMBT2222ALT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SMMBT2222ALT1G-HXY
这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V, 适用于对耐压有一定要求的应用环境。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 确保了良好的信号放大性能。 特征频率(FT)高达300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 保证了高效稳定的运行。 该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景, 能够有效提升电路的整体性能, 满足复杂电路设计的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,640
货期
现货
SMMBT2222ALT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1640 |
SMMBT2222ALT1G-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V, 适用于对耐压有一定要求的应用环境。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 确保了良好的信号放大性能。 特征频率(FT)高达300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 保证了高效稳定的运行。 该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景, 能够有效提升电路的整体性能, 满足复杂电路设计的需求。
SMMBT2222ALT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SMMBT2222ALT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
