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SMMBT2222ALT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SMMBT2222ALT1G-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V, 适用于对耐压有一定要求的应用环境。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 确保了良好的信号放大性能。 特征频率(FT)高达300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 保证了高效稳定的运行。 该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景, 能够有效提升电路的整体性能, 满足复杂电路设计的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

1,640

货期

现货

SMMBT2222ALT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存1640

SMMBT2222ALT1G-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V, 适用于对耐压有一定要求的应用环境。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 确保了良好的信号放大性能。 特征频率(FT)高达300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 保证了高效稳定的运行。 该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景, 能够有效提升电路的整体性能, 满足复杂电路设计的需求。

SMMBT2222ALT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SMMBT2222ALT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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