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SMMBFJ309LT1G
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IC

SOT-23-3(TO-236)

SMMBFJ309LT1G

结型场效应管(JFET) N沟道 SOT-23-3

品牌

ON

封装

SOT-23-3(TO-236)

交期

现货

批次

26+

SMMBFJ309LT1G参数

封装SOT-23-3(TO-236)
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)25V
漏源电流(Idss)30mA
工作温度-55℃~+150℃
分类结型场效应管(JFET)
库存9,000
MOQ / SPQ1 / 1
栅源截止电压(VGS(off))1V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)5pF
FET类型N沟道

SMMBFJ309LT1G概述

结型场效应管(JFET) N沟道 SOT-23-3

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