SMMBFJ177LT1G
IC
SOT-23（TO-236AB）
可供量大可议
SMMBFJ177LT1G
结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道 TO-236-3
品牌
ON
封装
SOT-23（TO-236AB）
库存
13,855
货期
现货
SMMBFJ177LT1G参数
| 封装 | SOT-23（TO-236AB） |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300Ω |
| 输入电容(Ciss) | 11pF |
| FET类型 | P沟道 |
| 分类 | 结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,855 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 800mV |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 漏源电流(Idss) | 1.5mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMBFJ177LT1G概述
结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道 TO-236-3
SMMBFJ177LT1G特性
暂无产品特性。
SMMBFJ177LT1G应用领域
暂无应用领域。