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SMMBD701LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SMMBD701LT1G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为0.3A, 最大反向电压VR为75V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为1.25V, 反向漏电流IR低至1μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A, 适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合, 具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

175

货期

现货

SMMBD701LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类开关二极管
库存175

SMMBD701LT1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为0.3A, 最大反向电压VR为75V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为1.25V, 反向漏电流IR低至1μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A, 适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合, 具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。

SMMBD701LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SMMBD701LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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