SMMBD701LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SMMBD701LT1G-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为0.3A, 最大反向电压VR为75V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为1.25V, 反向漏电流IR低至1μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A, 适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合, 具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
175
货期
现货
SMMBD701LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
SMMBD701LT1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为0.3A, 最大反向电压VR为75V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为1.25V, 反向漏电流IR低至1μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A, 适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合, 具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。
SMMBD701LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SMMBD701LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
