SMIRF8N65T2TL-HXY

本产品为N沟道场效应管（MOSFET）， 具备10A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于高压开关应用环境。 导通电阻（RDON）为860mΩ， 在同类器件中具备良好的导通性能， 有助于提升电路效率。 器件结构设计优化， 具有较强的耐压能力和稳定的工作表现， 适用于电源适配器、充电器、LED驱动模块以及各类交直流转换设备中的高频开关电路设计， 满足高效能与高可靠性要求。