SMIRF4N65T9RL-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源耐压（VDSS）， 可承载4A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为2400mΩ。 该器件适用于开关电源、功率转换器及高电压控制电路， 具备较高的击穿电压和良好的开关特性， 适合用于对体积与效率有一定要求的中高压电子系统设计中， 支持多种常见拓扑结构的应用实现。