SMIRF4N65T2TL-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）适用于多种高压功率转换与电源管理应用。 其主要参数包括：最大漏极电流ID为4A， 漏源电压VDSS高达650V， 导通电阻RDON为2400mΩ， 具备良好的耐压性能和开关稳定性。 该器件适用于高效率电源适配器、LED驱动电路、高频DC-AC逆变器以及各类中小型功率电子设备的设计与实现， 满足对高压工作环境下的可靠运行需求。