SMIRF20N65T2TL-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
SMIRF20N65T2TL-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为380mΩ， 适用于高电压与较大功率环境下的开关控制。 其较高的耐压能力与良好的电流承载特性， 可广泛用于电源转换、高频电路、电机驱动以及各类中高功率电子系统中， 满足多样化电路设计对稳定性和效率的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
22
货期
现货
SMIRF20N65T2TL-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22 |
SMIRF20N65T2TL-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为380mΩ， 适用于高电压与较大功率环境下的开关控制。 其较高的耐压能力与良好的电流承载特性， 可广泛用于电源转换、高频电路、电机驱动以及各类中高功率电子系统中， 满足多样化电路设计对稳定性和效率的需求。
SMIRF20N65T2TL-HXY特性
暂无产品特性。
SMIRF20N65T2TL-HXY应用领域
暂无应用领域。