SMIRF16N65T2TL-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和16A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为450mΩ， 适用于中高功率开关应用。 其较高的耐压能力和稳定的电流输出特性， 适合用于电源变换器、马达控制、高频开关电路及各类通用电子设备中， 能够满足多种电路设计对效率与稳定性的基本要求。