SMIRF13N50T2TL-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和13A的额定漏极电流（ID）， 适用于中高功率场景。 导通电阻（RDON）为400mΩ， 可在开关过程中有效降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用标准封装形式， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及家电控制等通用电子设备中， 满足多种电路设计需求。