SME10N15-G
IC
TO-252
可供量大可议
SME10N15-G
N沟道 耐压:150V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):250mΩ@10V, 4.5A
Brand
JSMSEMI
Package
TO-252
Stock
1,840
货期
现货
SME10N15-GParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1840 |
SME10N15-G概述
N沟道 耐压:150V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):250mΩ@10V, 4.5A
SME10N15-G特性
暂无产品特性。
SME10N15-G应用领域
暂无应用领域。