SMD110PL-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SMD110PL-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 在导通时维持较低的功率损耗; 反向漏电流为200μA, 在较高反向电压下仍保持可控的漏电水平。 该器件适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合, 凭借肖特基势垒特性, 具备较快的开关响应能力, 有助于提升电路整体运行效率与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
160
货期
现货
SMD110PL-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
SMD110PL-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 在导通时维持较低的功率损耗; 反向漏电流为200μA, 在较高反向电压下仍保持可控的漏电水平。 该器件适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合, 凭借肖特基势垒特性, 具备较快的开关响应能力, 有助于提升电路整体运行效率与稳定性。
SMD110PL-HXY特性
暂无产品特性。
SMD110PL-HXY应用领域
暂无应用领域。
