SMBJ58D-M3/H
IC
DO-214AA(SMBJ)
可供量大可议
SMBJ58D-M3/H
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 ±3.5%：非常严格的VBR公差。 低泄漏电流。 有单向和双向可选。 600W峰值脉冲功率能力， 波形为10/1000μs， 重复率（占空比）：0.01%。 应用：用于敏感电子设备的保护， 防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
品牌
VISHAY
封装
DO-214AA(SMBJ)
库存
70
货期
现货
SMBJ58D-M3/H参数
| 封装 | DO-214AA(SMBJ) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
SMBJ58D-M3/H概述
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 ±3.5%：非常严格的VBR公差。 低泄漏电流。 有单向和双向可选。 600W峰值脉冲功率能力， 波形为10/1000μs， 重复率（占空比）：0.01%。 应用：用于敏感电子设备的保护， 防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
SMBJ58D-M3/H特性
暂无产品特性。
SMBJ58D-M3/H应用领域
暂无应用领域。