SMBJ200A-13-F
IC
SMB
可供量大可议
SMBJ200A-13-F
特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SMB
库存
50
货期
现货
SMBJ200A-13-F参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SMBJ200A-13-F概述
特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
SMBJ200A-13-F特性
暂无产品特性。
SMBJ200A-13-F应用领域
暂无应用领域。