SM8S36AHE3_A/I
IC
DO-218AB
可供量大可议
SM8S36AHE3_A/I
特性：结钝化优化设计， 采用钝化各向异性整流技术。 TJ = 175℃能力， 适用于高可靠性和汽车应用要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。 应用：用于敏感电子设备， 防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变， 特别是用于汽车负载突降保护应用
品牌
VISHAY
封装
DO-218AB
库存
181
货期
现货
SM8S36AHE3_A/I参数
| 封装 | DO-218AB |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 181 |
SM8S36AHE3_A/I概述
特性：结钝化优化设计， 采用钝化各向异性整流技术。 TJ = 175℃能力， 适用于高可靠性和汽车应用要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。 应用：用于敏感电子设备， 防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变， 特别是用于汽车负载突降保护应用
SM8S36AHE3_A/I特性
暂无产品特性。
SM8S36AHE3_A/I应用领域
暂无应用领域。