SM8S33AHE3_A/I-DW
IC
DO-218AB
可供量大可议
SM8S33AHE3_A/I-DW
特性：优化玻璃钝化芯片。 结温能力达175℃， 适用于高可靠性和汽车应用要求。 10/1000μs波形下， 峰值脉冲功率能力为6600W， 重复率（占空比）为0.01%。 符合ISO 7637-2 5a/5b和ISO 16750负载突降测试（因测试条件而异）。 通过AEC-Q101认证。 低泄漏电流。 低正向压降。 单向极性。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 符合RoHS标准
品牌
DOWO
封装
DO-218AB
库存
1,473
货期
现货
SM8S33AHE3_A/I-DW参数
| 封装 | DO-218AB |
|---|---|
| 品牌 | DOWO(东沃) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1473 |
SM8S33AHE3_A/I-DW概述
特性：优化玻璃钝化芯片。 结温能力达175℃， 适用于高可靠性和汽车应用要求。 10/1000μs波形下， 峰值脉冲功率能力为6600W， 重复率（占空比）为0.01%。 符合ISO 7637-2 5a/5b和ISO 16750负载突降测试（因测试条件而异）。 通过AEC-Q101认证。 低泄漏电流。 低正向压降。 单向极性。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 符合RoHS标准
SM8S33AHE3_A/I-DW特性
暂无产品特性。
SM8S33AHE3_A/I-DW应用领域
暂无应用领域。