SM8S33A-MS
IC
DO-218AB
可供量大可议
SM8S33A-MS
特性：芯片采用化学方法生产。 结采用耐高温绝缘胶钝化。 TJ = 175 °C 能力， 适用于高可靠性和汽车要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 应用：用于敏感电子设备， 防止由电感负载开关和雷击引起的电压瞬变， 特别是用于汽车负载突降保护应用
品牌
MSKSEMI
封装
DO-218AB
库存
203
货期
现货
SM8S33A-MS参数
| 封装 | DO-218AB |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 203 |
SM8S33A-MS概述
特性：芯片采用化学方法生产。 结采用耐高温绝缘胶钝化。 TJ = 175 °C 能力， 适用于高可靠性和汽车要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 应用：用于敏感电子设备， 防止由电感负载开关和雷击引起的电压瞬变， 特别是用于汽车负载突降保护应用
SM8S33A-MS特性
暂无产品特性。
SM8S33A-MS应用领域
暂无应用领域。