SM6366ED1RL-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SM6366ED1RL-HXY
SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管, 采用DFN5X6-8L封装设计, 兼具小型化与高效散热功能, 特别适合现代高密度电子设备应用。 器件拥有30V额定电压VDSS, 提供高达120A连续电流ID处理能力, 展现卓越的电力控制性能。 其3.5mR超低导通电阻, 有效提高能源效率并减少系统损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
155
货期
现货
SM6366ED1RL-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
SM6366ED1RL-HXY概述
SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管, 采用DFN5X6-8L封装设计, 兼具小型化与高效散热功能, 特别适合现代高密度电子设备应用。 器件拥有30V额定电压VDSS, 提供高达120A连续电流ID处理能力, 展现卓越的电力控制性能。 其3.5mR超低导通电阻, 有效提高能源效率并减少系统损耗。
SM6366ED1RL-HXY特性
暂无产品特性。
SM6366ED1RL-HXY应用领域
暂无应用领域。
