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SM6366ED1RL-HXY
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

SM6366ED1RL-HXY

SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管, 采用DFN5X6-8L封装设计, 兼具小型化与高效散热功能, 特别适合现代高密度电子设备应用。 器件拥有30V额定电压VDSS, 提供高达120A连续电流ID处理能力, 展现卓越的电力控制性能。 其3.5mR超低导通电阻, 有效提高能源效率并减少系统损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5x6-8L

库存

155

货期

现货

SM6366ED1RL-HXY参数

封装DFN5x6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存155

SM6366ED1RL-HXY概述

SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管, 采用DFN5X6-8L封装设计, 兼具小型化与高效散热功能, 特别适合现代高密度电子设备应用。 器件拥有30V额定电压VDSS, 提供高达120A连续电流ID处理能力, 展现卓越的电力控制性能。 其3.5mR超低导通电阻, 有效提高能源效率并减少系统损耗。

SM6366ED1RL-HXY特性

暂无产品特性。

SM6366ED1RL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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