SM4404BPRL-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和8.5A的最大连续漏极电流（ID）， 可满足中高功率应用的需求。 导通电阻（RDON）为14毫欧， 有助于减少导通损耗， 提升整体能效。 N沟道结构设计使其在开关速度和驱动能力方面表现优异， 适用于电源转换、充电管理、LED驱动以及各类消费类电子设备中的高效控制电路。 该器件具备良好的热稳定性和耐用性， 适合在多种工作环境下长期运行。