SM360R65CT2TL-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性， 该器件适用于高频开关环境， 具备良好的热稳定性。 典型应用包括高效能电源转换装置、高功率密度DC-DC变换器、不间断电源中的逆变电路， 以及对能效和散热要求较高的紧凑型电力电子设备。