SM3400SRL-HXY

SM3400SRL N沟道MOSFET采用SOT-23微型封装， 专为紧凑型和高效能电路设计。 该器件拥有30V的高击穿电压(VDSS)， 可承载高达5.8A的连续漏极电流(ID)， 并具备出色的导通性能， 导通电阻仅为28mR(RD(on))。 凭借这些特性， SM3400SRL 适用于开关电源转换、大电流电机驱动和其他高功率应用场合， 旨在提升系统效能， 降低能耗， 是您的电路设计理想之选。