SM3012T9RL-HXY
IC
TO-252-4L
可供量大可议
SM3012T9RL-HXY
SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管， 采用散热性优良的TO-252-4L封装， 适用于中大电流应用场合。 该器件拥有30V的额定电压VDSS， 能够安全承载20A的连续电流ID， 突显其强大的电力处理能力。 其导通电阻RD(on)低至18mΩ， 有助于降低系统功耗， 提升能效表现。 广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统， SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-4L
库存
200
货期
现货
SM3012T9RL-HXY参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
SM3012T9RL-HXY概述
SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管， 采用散热性优良的TO-252-4L封装， 适用于中大电流应用场合。 该器件拥有30V的额定电压VDSS， 能够安全承载20A的连续电流ID， 突显其强大的电力处理能力。 其导通电阻RD(on)低至18mΩ， 有助于降低系统功耗， 提升能效表现。 广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统， SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。
SM3012T9RL-HXY特性
暂无产品特性。
SM3012T9RL-HXY应用领域
暂无应用领域。