SM2312SRL-HXY

SM2312SRL N沟道MOSFET采用小巧的SOT-23-3L封装， 专为高效、紧凑型电路设计。 器件具备20V的漏源电压(VDSS)， 能在18mR的低导通电阻(RD(on))下， 稳定输出高达6A的漏极电流(ID)。 适用于开关电源、电机驱动、高频开关电路等应用， 该MOS管以其卓越的电流承载能力和优良的能效表现， 成为优化系统性能、减小能耗的理想半导体组件。