SM12T1G-N
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
SM12T1G-N
特性：360瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Ci = 60 pF 典型值）。 应用：数据线。 自动取款机
品牌
BORN
封装
SOT-23-3L
库存
1,630
货期
现货
SM12T1G-N参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1630 |
SM12T1G-N概述
特性：360瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Ci = 60 pF 典型值）。 应用：数据线。 自动取款机
SM12T1G-N特性
暂无产品特性。
SM12T1G-N应用领域
暂无应用领域。