SLM20123R3MIT
IC
0805
可供量大可议
SLM20123R3MIT
特性：由于采用特殊材料, 具有高直流偏置电流。 低轮廓、超薄厚度。 整体结构, 可靠性高。 优异的可焊性和高耐热性。 低直流电阻。 磁屏蔽设计, 无交叉耦合。 应用：手机、数码相机、数码摄像机、硬盘驱动器、个人数字助理等的 DC DC 转换电路
品牌
Sunltech
封装
0805
库存
250
货期
现货
SLM20123R3MIT参数
| 封装 | 0805 |
|---|---|
| 品牌 | Sunltech(顺磁) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 250 |
SLM20123R3MIT概述
特性：由于采用特殊材料, 具有高直流偏置电流。 低轮廓、超薄厚度。 整体结构, 可靠性高。 优异的可焊性和高耐热性。 低直流电阻。 磁屏蔽设计, 无交叉耦合。 应用：手机、数码相机、数码摄像机、硬盘驱动器、个人数字助理等的 DC DC 转换电路
SLM20123R3MIT特性
暂无产品特性。
SLM20123R3MIT应用领域
暂无应用领域。