SLG59H1313C
IC
WLCSP-12(1.3x1.8)
可供量大可议
SLG59H1313C
具有低 23 mΩ RDS(ON) 的内部 nFET， 可保护 2.5 Vdc 至 5.5 Vdc 的低压操作系统免受高达 29 Vdc 的电压故障影响。 内部钳位电路可保护下游组件免受高达 100 V 的浪涌电压影响。 具有快速 50 ns（典型值）过压响应时间， 当输入电压超过 OVP 阈值时， 可关闭内部 nFET。 OVP 阈值可通过可选外部电阻调节至 4 V 至 20 V 之间的任何电压
品牌
RENESAS/IDT
封装
WLCSP-12(1.3x1.8)
库存
100
货期
现货
SLG59H1313C参数
| 封装 | WLCSP-12(1.3x1.8) |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SLG59H1313C概述
具有低 23 mΩ RDS(ON) 的内部 nFET， 可保护 2.5 Vdc 至 5.5 Vdc 的低压操作系统免受高达 29 Vdc 的电压故障影响。 内部钳位电路可保护下游组件免受高达 100 V 的浪涌电压影响。 具有快速 50 ns（典型值）过压响应时间， 当输入电压超过 OVP 阈值时， 可关闭内部 nFET。 OVP 阈值可通过可选外部电阻调节至 4 V 至 20 V 之间的任何电压
SLG59H1313C特性
暂无产品特性。
SLG59H1313C应用领域
暂无应用领域。