SLF12N65SV

此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计， 可最大限度降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。