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SLESDTU5V0A1
IC

DFN1006-2

可供量大可议

SLESDTU5V0A1

SLESDTU5V0 A1是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS), 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 SLESDTU5V0 A1的典型电容为0.25pF, 旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000-4-2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变-EFT)(40A、5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 SLESDTU5V0 A1采用超小型DFN10 06封装。 每个SLESDTU5V0 A1器件可保护一条高速数据线。 它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。 低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性等综合特性使SLESDTU5V0 A1非常适合高速数据端口和高频线路应用, 如手机和高清视觉设备。

品牌

Slkor

封装

DFN1006-2

库存

7,480

货期

现货

SLESDTU5V0A1参数

封装DFN1006-2
品牌Slkor(萨科微)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存7480

SLESDTU5V0A1概述

SLESDTU5V0 A1是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS), 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 SLESDTU5V0 A1的典型电容为0.25pF, 旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000-4-2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变-EFT)(40A、5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 SLESDTU5V0 A1采用超小型DFN10 06封装。 每个SLESDTU5V0 A1器件可保护一条高速数据线。 它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。 低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性等综合特性使SLESDTU5V0 A1非常适合高速数据端口和高频线路应用, 如手机和高清视觉设备。

SLESDTU5V0A1特性

暂无产品特性。

SLESDTU5V0A1应用领域

暂无应用领域。

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