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SLESD5311X
IC

DFN1006-2

可供量大可议

SLESD5311X

SLESD5311X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS), 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 SLESD5311X典型电容为0.5pF, 用于保护对寄生效应敏感的系统, 使其免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A, 5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 SLESD5311X采用超小型DFN1006封装。 每个SLESD5311X器件可保护一条高速数据线。 它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。 低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等特性的结合, 使SLESD5311X非常适合高速数据端口和高频线路应用, 如手机和高清视觉设备。

品牌

Slkor

封装

DFN1006-2

库存

2,920

货期

现货

SLESD5311X参数

封装DFN1006-2
品牌Slkor(萨科微)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2920

SLESD5311X概述

SLESD5311X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS), 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 SLESD5311X典型电容为0.5pF, 用于保护对寄生效应敏感的系统, 使其免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A, 5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 SLESD5311X采用超小型DFN1006封装。 每个SLESD5311X器件可保护一条高速数据线。 它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。 低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等特性的结合, 使SLESD5311X非常适合高速数据端口和高频线路应用, 如手机和高清视觉设备。

SLESD5311X特性

暂无产品特性。

SLESD5311X应用领域

暂无应用领域。

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